特許

J-GLOBAL ID：200903008908534987

半導体装置の製造方法

発明者： 服部 佐知子 ,  木村 良佳 ,  辻田 好一郎 ,  小田村 裕子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334485
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168052
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 微細なパターンを形成することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 被加工物1上に樹脂、保護基、および酸発生剤にて成る化学増幅ポジ型レジスト2を塗布しパターニングする半導体装置の製造方法において、化学増幅ポジ型レジスト2をパターニングし予備レジストパターン12を形成した後に、第2の紫外線13を照射し、化学増幅ポジ型レジスト2中の保護基をぬき、予備レジストパターン12のパターンを収縮させレジストパターンを得る。

請求項（抜粋）：

被加工物上に樹脂、保護基、および酸発生剤にて成る化学増幅ポジ型レジストを塗布しパターニングする半導体装置の製造方法において、上記化学増幅ポジ型レジストをパターニングした後に、紫外線を照射し、上記化学増幅ポジ型レジスト中の保護基をぬき、上記化学増幅ポジ型レジストのパターンを収縮させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40

FI (3件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-269120   出願人：松下電器産業株式会社, 和光純薬工業株式会社
• 特開平1-200256
  
• 反射防止組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-070236   出願人：三菱化学株式会社
• 特開平1-200256