微細パターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269120
公開番号（公開出願番号）：特開平6-214402
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】レジストパターンの寸法変動を伴なうことなくレジストパターンの耐熱性を向上させることを目的とする。【構成】半導体基板1上に、フェノール性水酸基の少なくとも一部が酸の作用により脱離し易い保護基により置換された高分子化合物又は単分子化合物を主成分とする放射線感応性材料からなる化学増幅型レジスト2を塗布する。次に、化学増幅型レジスト2に対して露光するか又は放射線を照射した後に、化学増幅型レジスト2を現像することにより、レジストパターン2Aを形成する。次に、半導体基板1の温度を化学増幅型レジスト2のガラス転移点以下に保った状態で、レジストパターン2Aに放射線を全面照射して化学増幅型レジスト2中の保護基を脱離させることにより、レジストパターン2の耐熱性を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、フェノール性水酸基の少なくとも一部が酸の作用により脱離し易い保護基により置換された高分子化合物又は単分子化合物を主成分とする放射線感応性材料からなる化学増幅型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、上記化学増幅型レジストに対して露光するか又は放射線を照射した後に、上記化学増幅型レジストを現像することにより、上記化学増幅型レジストからなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記半導体基板の温度を上記化学増幅型レジストのガラス転移点以下に保った状態で上記レジストパターンに放射線を全面照射して上記化学増幅型レジスト中の保護基を脱離させることにより上記レジストパターンの耐熱性を向上させる耐熱性付与工程とを備えていることを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 501 , H01L 21/027 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-025646
特開昭63-092021
特開昭63-220523

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