特許

J-GLOBAL ID：200903008949549867

強誘電体薄膜の製造方法及び誘電体薄膜の製造方法

発明者： 島田 勝人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185344
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041944
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板上に二酸化珪素を介して電極が形成されていて、その上にPZT薄膜を高周波スパッタ法を用いて形成する方法に於いて、電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御しながら、PZT薄膜を堆積し、良好な強誘電体特性のPZT薄膜を再現性良く得る。【構成】シリコン基板101上に二酸化珪素102を介して電極103が形成されていて、その上にPZT薄膜を高周波スパッタ法を用いて形成する方法に於いて、電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御しながら、PZT薄膜を堆積する。

請求項（抜粋）：

電極が表面に形成された基板上に強誘電体薄膜を高周波スパッタ法を用いて製造する方法に於いて、前記電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御して、前記強誘電体薄膜を堆積することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245856   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭60-095887