特許
J-GLOBAL ID：200903008971265708
積層セラミックコンデンサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-329543
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101038
出願日： 2003年09月22日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】クラックが発生した場合にオープン状態になる積層セラミックコンデンサを効率的に製造する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ10を製造するためには、まず、マザー基板100が形成される。マザー基板100は、内部電極116が形成された部分でカットされ、カットされた側面に内部電極116を露出させる。露出させた内部電極116を撮像手段で撮像して画像処理することによって、マザー基板100において、カットすべきカット線Cや溝を形成すべき溝形成位置Gが求められる。マザー基板100は、溝形成位置Gに溝120が形成され、カット線Cでカットされる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層され、対向する両端面に前記複数の内部電極が交互に導出されたコンデンサ素体と、前記コンデンサ素体の両端部に形成され、前記複数の内部電極に交互に接続される一対の外部電極とを有し、前記コンデンサ素体の表面において前記内部電極の遊端よりも外側に溝が形成された積層セラミックコンデンサを製造する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
積層された誘電体セラミックグリーンシートおよび内部電極を有するマザー基板を形成するステップ、
前記マザー基板の内部に形成されたマークを、前記マザー基板をカットすることによって、前記マザー基板のカットされた面に露出させるステップ、
前記露出させたマークを撮像手段で撮像して画像処理することによって、前記マザー基板においてカットすべきカット線を求めるステップ、
前記露出させたマークを基準にして、前記マザー基板において溝を形成すべき溝形成位置を求めるステップ、
前記マザー基板の一方主面において前記溝形成位置に溝を形成するステップ、
前記マザー基板を反転させるステップ、
前記露出させたマークまたは前記溝を基準にして、前記マザー基板の他方主面に溝を形成するステップ、
前記一方主面および他方主面に溝が形成されたマザー基板を前記カット線で棒状にカットするステップ、および
前記棒状にカットされたマザー基板において棒状にカットされた面に露出させた内部電極を基準にして、前記棒状にカットされたマザー基板を個々の素子にカットするステップを有する、積層セラミックコンデンサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G4/30 311A
, H01G4/12 364
5E001AB03
, 5E001AF06
, 5E001AH00
, 5E001AH06
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E082AB03
, 5E082BC36
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082GG10
, 5E082JJ03
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082LL03
, 5E082MM26
