多層下部電極及び多層上部電極を含む強誘電体構造物及びそれの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-208855
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043166
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】向上された特性を有する強誘電体構造物及びそれの製造方法が開示される。【解決手段】第1金属酸化物を用いて第1下部電極膜を形成した後、第1下部電極膜上に第2下部電極膜を形成する。第2下部電極膜は、第1金属、第1金属酸化物及び/または第1合金を用いて形成される。第2下部電極膜上に強誘電体層を形成した後、強誘電体層上に第2金属酸化物を用いて第1上部電極膜を形成する。第1上部電極膜上に第2合金を用いて第2上部電極膜を形成する。第1上部膜及び第2上部電極膜を含む強誘電体構造物の分極またはデータ保持力の向上、疲労抵抗の増加、センシングマージンの増加などのように強誘電的及び電気的特性を大きく改善することができ、このような強誘電体構造物を有する強誘電体キャパシタの強誘電体的及び電気的特性を著しく向上させることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1金属窒化物を含む第1下部電極膜と、前記第1下部電極膜上に形成され、第1金属、第1金属酸化物、及び第1合金からなる群より選択された少なくとも一つを含む第2下部電極膜と、を有する下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体層と、前記強誘電体層上に形成され、第2金属酸化物を含む第1上部電極膜と、前記第1上部電極膜上に形成され、第2合金を含む第2上部電極膜と、を有する上部電極と、を具備することを特徴とする強誘電体構造物。

IPC (2件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L27/10 444C , H01L27/10 444B

Fターム (24件)：

5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR25 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (5件)

大韓民国公開特許第1998-28587号
大韓民国公開特許第2003-45631号
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-067333 出願人：三菱電機株式会社, 東京工業大学長

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