特許
J-GLOBAL ID：200903096771951018
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
曾我 道照 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067333
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270785
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 微細な加工を可能にし、メモリ構造を高集積なレベルで実現する。【解決手段】 強誘電体メモリの電極として金属Ru、あるいは、Ru-Pt合金およびRu-Ir合金を用いる。また、強誘電体材料として、BLT、PZT、SBT等を用い、結晶化の方法として500°C以下の温度で堆積し、600°C以上の温度で結晶化させるプロセスを用いる。また、結晶化雰囲気としては、Ruの酸化を抑制するために10%以下の低い酸素分圧下で結晶化させる。さらに、高集積なMFMIS型の強誘電体メモリを実現するため、上記電極、強誘電体を用い、酸素を含有するドライエッチングにより電極を加工し、絶縁膜形成とCMPによる平坦化プロセスを用いて強誘電体膜の下地が平坦化された構造とすることにより、スピンコート法などの強誘電体膜形成法でも微細なメモリ構造を形成できるようにする。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタとトランジスタを組み合わせることによりメモリ機能を有する半導体装置であって、強誘電体キャパシタの電極として金属Ru或いはRuを含む合金を用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 444 A
, H01L 29/78 371
5F083FR07
, 5F083GA06
, 5F083GA09
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083PR03
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083PR40
, 5F101BA42
, 5F101BA62
, 5F101BH01
, 5F101BH16
