特許

J-GLOBAL ID：200903008985675631

半導体ウェハ処理システムのための裏面ガス送出装置

発明者： ジョン ラッフェル ,  カール エフ. リーザー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-118343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349142
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハ処理システムに関し、特に半導体ウェハ処理システムのための裏面ガス排出装置に関するものである。【解決手段】 ウェハ処理システムのための装置であって、前記装置は、ガス送出システム141に取り付けられたウェハ支持チャック100を備えている。ガス送出システム141は、チャックによって支持されたウェハの裏面にガスを送出する。このガス送出システム141は、ウェハのチャックに直結されたガス遮断弁140を有する。遮断弁140は、無視しうる漏れ率の確実な遮断を可能にする。弁140をウェハのチャックの直ぐ近くに配置することにより、この弁140とウェハとの間にトラップされる裏面ガスの体積が最小にされる。ウェハ搬送中にこのトラップされたガスがプロセス室中に放出することは、処理システムの特性に何の悪影響も及ぼさない。

請求項（抜粋）：

ウェハ処理システムのための装置であって、ガス送出システムに取り付けられたウェハ支持チャックを備え、前記ガス送出システムは、前記ウェハ支持チャックと直接に接する弁を有する装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/265 603

FI (3件)：

H01L 21/68 R ,  C23C 14/50 D ,  H01L 21/265 603 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭60-240045
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311630   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-240045
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311630   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-240045
  
• 特開昭60-240045