特許

J-GLOBAL ID：200903008987850368

半導体結晶及びそれを用いたホール素子

発明者： 田中 丈士 ,  和島 峰生
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148252
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340856
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 使用環境の温度に対する信頼性の高い半導体結晶及びそれを用いたホール素子を提供する。【解決手段】 不純物ドーピング量を制御して、キャリア移動度の温度依存性が異なるIII V族化合物半導体薄膜2,3を2層以上積層することにより、温度の上昇によりキャリア移動度が増加する特性と、温度の上昇によりキャリア移動度が減少する特性とが相殺され、半導体結晶全体のキャリア移動度が温度変化により変化せず、使用環境の温度に対する信頼性の高い半導体結晶が得られる。またこのような半導体結晶を用いることにより、出力ホール電圧の温度特性が安定化され、使用環境の温度に対する信頼性の高いホール素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

2層以上のIII V族化合物半導体薄膜からなり、不純物ドーピング量を制御して、キャリア移動度の温度依存性が各層で異なると共に全体のキャリア移動度の温度依存性が0°Cから100°Cの温度範囲で±5%以下としたことを特徴とする半導体結晶。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/06

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 43/06 S ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-288483
  
• 特開平4-053177
  
• ヘテロ接合ホール素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293630   出願人：昭和電工株式会社