特許

J-GLOBAL ID：200903008992215298

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 吉越 俊一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125813
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 微細化されていても記憶保持特性が優れている不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiO2 膜11、13との界面における捕獲準位に電荷を捕獲することによって情報を記憶するためのSiN膜14、16中に、更にSiO2 膜15が含まれている。このため、同じ平面的な面積で比べると、SiN膜14、16とSiO2 膜11、13、15との界面の面積が広くて、捕獲電荷量が多い。しかも、SiN膜14、16中の酸素に起因する深い捕獲準位も多く形成されているので、捕獲された電荷が自然放出されにくい。

請求項（抜粋）：

窒化膜と酸化膜との界面における捕獲準位に電荷を捕獲することによって情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、前記窒化膜中に酸化膜が含まれていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-210874   出願人：ローム株式会社
• 特開昭61-097867
  
• 特表昭56-501146