半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344726
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189723
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】微細な配線構造の信頼性を向上させるとともにその高性能化を容易にする。【解決手段】半導体素子を有する半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線が配設され、配線の側壁にその表面が順テーパ形状の第1の絶縁膜が形成され、第1の絶縁膜で被覆された前記配線間下部の前記層間絶縁膜が所定の深さ掘りに下げられ、前記配線間および前記層間絶縁膜の掘り下げられた領域に低誘電率の第2の絶縁膜が充填される。

請求項（抜粋）：

半導体素子を有する半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線が配設され、前記配線の側壁にその表面が順テーパ形状の第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜で被覆された配線間に第2の絶縁膜が充填されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/283

FI (2件)：

H01L 21/90 K , H01L 21/283 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-140447 出願人：ソニー株式会社
特開平4-264730
特開平4-174541

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