特許
J-GLOBAL ID：200903009000100946
位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク及びそれらの製造方法、並びに該ブランクスの製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-098582
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 優れた耐薬品性と光学特性とを持つ位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びその製造方法、並びにブランクスの製造装置の提供。【解決手段】 反応性スパッタリング法によって基板上に薄膜を形成して、位相シフトフォトマスクブランクスを製造する際に、基板をスパッタターゲット上を4回以上通過させて成膜して均質な薄膜を得、反応ガスとしてNOガスを、スパッタターゲットとしてモリブデンと珪素との混合ターゲットを、薄膜を形成すべき基板として透明基板を使用して、強度の光を通過させる光透過膜を該透明基板上に形成する。基板の搬送方向に沿う十分大きな開口長を通して成膜し、ターゲット成分の堆積速度最大値の90%以下の領域も成膜に寄与させ、得られた位相シフトフォトマスクブランクスにパターン形成処理を施す。
請求項（抜粋）：
成膜室内に反応性ガスを供給し、薄膜を形成すべき基板をスパッタターゲット上を通過させながら反応性スパッタリング法によって該基板上に成膜する方法において、該基板を当該ターゲット上を4回以上通過させて成膜することを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクスの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, C23C 14/04
, C23C 14/34
G03F 1/08 A
, C23C 14/04 A
, C23C 14/34 J
2H095BB03
, 2H095BB10
, 2H095BB17
, 2H095BB25
, 2H095BC01
, 2H095BC08
, 2H095BC17
, 4K029AA09
, 4K029BA41
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029EA02
, 4K029EA05
, 4K029HA07
, 4K029KA01
