特許

J-GLOBAL ID：200903009003179896

SOI基板及びその製造方法

発明者： 冨田 真一 ,  池田 安伸 ,  佐野 正和
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066027
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260619
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【目的】SOI層に結晶欠陥の無い、製造コストの安いSOI基板を提供すること。【構成】第1の半導体ウエーハ1と第2の半導体ウエーハ2を接着して形成されるSOI基板の製造方法において、第1の半導体ウエーハ1は、少なくとも、主面側に格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3以下の層を備えるとともに主面が鏡面であり、且つ、第2の半導体ウエーハ2は、少なくとも主面が鏡面であり、第1及び第2の半導体ウエーハ1,2のうち、少なくとも一方の半導体ウエーハの主面に酸化膜を形成した後、双方の主面同士を密着するとともに熱処理して接着する工程と、第1の半導体ウエーハ1の裏面側より薄膜化し、前記格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3以下の層だけを残して、その面を鏡面化する工程と、を備えた構成のSOI基板の製造方法及び、これにより製造されるSOI基板。

請求項（抜粋）：

第1の半導体ウエーハと第2の半導体ウエーハを接着して形成されるSOI基板において、前記第1の半導体ウエーハは、少なくとも、主面側に格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3(old ASTM、以下同じ)以下の層を備えるとともに主面が鏡面であり、且つ、前記第2の半導体ウエーハは、少なくとも主面が鏡面であり、 前記第1及び第2の半導体ウエーハのうち、少なくとも一方の半導体ウエーハの主面に酸化膜が形成されて、双方の主面同士が密着されるとともに熱処理されて接着されるものであって、SOI層の格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3以下で且つSOI層厚が5μm以下であることを特徴とするSOI基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• SOI基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-079602   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社