特許
J-GLOBAL ID：200903009003192329

半導体装置及びその製造方法

発明者：
豆野 和延

豆野 和延 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-155957
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023095
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 信頼性及び絶縁効果の高い絶縁膜を有する半導体装置を低温プロセスで簡単に得ること。【構成】 Nラジカル3をSi酸化膜(ゲート酸化膜)2に導入しておくことにより、ゲート電極からBイオンが偏析しても、このイオンが、チャネル領域につき抜けて、チャネル領域の特性に影響を与えることを阻止できる。また、前記ゲート電極に大電流が流れても、絶縁膜が劣化しにくい。また、Nラジカル3の導入工程は、低温で容易に行え、酸化膜2が受けるダメージもほとんどない。
請求項（抜粋）：
活性窒素を含有した絶縁膜を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/90 K
引用特許：
審査官引用 (6件)
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