特許

J-GLOBAL ID：200903009017795603

SiCへの電極の形成方法

発明者： 木村 親夫
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295575
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139051
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】〔目的〕電気特性が良好で信頼度の高いオーミック接合やショットキー接合を形成できるSiCへの電極の形成方法を提供する。〔構成〕シリコンカーバイド(SiC)結晶基板(10)の表面に金属の電極層(M)を形成する工程( A,B,C ) と、この金属の電極層(M) にSiC結晶基板の外部から炭素を供給することにより炭化金属の電極層(14)に変換する炭化工程(D,E) と、この炭化金属の電極層(14)が形成されたSiC結晶基板(10)を加熱する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド結晶基板の表面に金属の電極層を形成する工程と、前記金属の電極層に前記シリコンカーバイド結晶基板の外部から炭素を供給することにより前記金属の電極層を炭化金属の電極層に変換する炭化工程と、前記炭化金属の電極層が形成されたシリコンカーバイド結晶基板を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とするSiCへの電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301