特許
J-GLOBAL ID：200903009021070737
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180928
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029212
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 基板上のa-Si(アモルファス・シリコン)薄膜や多結晶Si薄膜を簡便な方法により結晶化し、実質的な単結晶シリコン薄膜を得る。【構成】 核形成を行うためのレーザ照射と、核成長を行うためのアニール処理を同時に行う。すなわち、エキシマ・レーザ照射(hν1)をウェハ6の表側から、ランプ・アニール(hν2)を裏側から行える結晶化装置を使用し、透明な石英(SiO2)基板20上でa-Si薄膜21を結晶化させると、結晶核22の形成と二次元方向への核成長が並行して進行し、実質的な単結晶Si薄膜23が得られる。予め核形成位置以外の部位にSi+イオン・ビーム・アニールを行えば規則的な粒界形成を抑制でき、フォトマスクを介してエキシマ・レーザ照射を行えば、結晶核22の生成部位を容易に特定できる。
請求項（抜粋）：
基板上に成膜されたアモルファス薄膜もしくは多結晶薄膜を単結晶化させて単結晶薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、レーザ照射による核形成とアニール処理による核成長とを同時に行うことにより前記単結晶薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/324
