特許
J-GLOBAL ID：200903009093078554
HSGを含むキャパシタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318536
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214661
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】キャパシタの製造方法において、HSGのサイズを適正かつ均一に制御すると共に、HSGの空乏化を防止する。【解決手段】容量コンタクトプラグ6の一部と接続するように第1の非晶質シリコン層10を形成し、その上に第2の非晶質シリコン層11、第3の非晶質シリコン層12を形成する。第1及び第3の非晶質シリコン層は、第2の非晶質シリコン層よりも低い不純物濃度をもって形成され、これら第1及び第3の非晶質シリコン層の表面にHSG14が成長させられる。その後、HSG14には第2の非晶質シリコン層から不純物を拡散する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の下部電極形成領域と接続するように第1のシリコン層を形成する工程と、前記第1のシリコン層の上に第2のシリコン層を形成する工程と、前記第2のシリコン層の上に第3のシリコン層を形成する工程と、前記第1のシリコン層の一部と、前記第3のシリコン層の一部とをエッチングにより露出させる工程と、前記第1のシリコン層および前記第3のシリコン層の表面に、半球形状の微細なグレイン(HSG)を形成するHSG形成工程と、アニール処理を行い前記HSGに不純物を拡散させることにより下部電極を形成する工程とを含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/04 C
