特許

J-GLOBAL ID：200903094875150910

半導体装置の製造方法

発明者： 辰巳 徹 ,  酒井 朗
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154896
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304273
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【構成】表面が実質的に清浄なアモルファスシリコン膜を加熱して多結晶化させる際に、結晶核104発生と結晶核成長とを異なる条件で行なう。例えばSi2H6 ガスを供給しながら結晶核を発生させ、ガスの供給を中止し加熱を結行して結晶核の成長を行ない、きのこ状の結晶粒105を得る。【効果】これにより、結晶粒密度と結晶粒径の制御が容易となり、より微細な粒径の多結晶シリコン膜を形成でき、DRAMの高集積化にともなうキャパシタ面積の縮小に対応できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの所定の絶縁膜にアモルファスシリコン膜を堆積し、前記アモルファスシリコン膜の表面が実質的に清浄な状態において所定条件で結晶核を前記アモルファスシリコン膜表面に発生させ、前記所定条件と異なる条件で前記結晶核を成長させて多結晶シリコン膜を形成して一の容量電極を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に誘電体膜を被着する工程と、前記誘電体膜に導電体膜を被着してもう一つの容量電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-041840   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社