特許
J-GLOBAL ID：200903009122028570

厚膜テープのためのイオンビームアシスト高温超伝導体(HTS)堆積

発明者：
ベンカト セルバマニカム

ベンカト セルバマニカム について

, 
ヒーギョウン リー

ヒーギョウン リー について


出願人/特許権者：
スーパーパワー インコーポレイテッド

スーパーパワー インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-514975
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525788
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
コーティングされるべき基板(116)上に照射するイオン源(132)或いは(218)が、MOCVD、PVD或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
請求項（抜粋）：
1.5ミクロン以上の厚さのコーティングと幅1センチにつき200A以上の臨界電流とを持つ高電流密度のHTSテープを連続的に製造するプロセスであって、基板が、堆積反応炉で、第1の堆積ゾーンを通るとき、該基板に第1の厚さのコーティングを適用し、前記基板が、前記堆積反応炉で少なくとも一つの付加的な堆積ゾーンを通るとき、その基板に直ちに付加的な厚さのコーティングを適用することを備え、前記第1の堆積ゾーンからの出口でのコーティング厚さは1.5ミクロンより大きくなく、前記基板が少なくとも前記堆積ゾーンの最後のものを通過するとき、前記基板はイオンビームによって照射されることを特徴とする。
IPC (5件)：
H01B 13/00 ,  H01B 12/06 ,  H01L 39/24 ,  C23C 16/54 ,  C23C 14/48
FI (5件)：
H01B13/00 565D ,  H01B12/06 ,  H01L39/24 B ,  C23C16/54 ,  C23C14/48 D
Fターム (42件)：
4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB14 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029EA01 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA26 ,  4K030BA42 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030GA14 ,  4K030JA01 ,  4K030LA03 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113BA18 ,  4M113CA34 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321CA04 ,  5G321CA22 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39 ,  5G321DB41
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5,432,151号明細書
  • 米国特許第6,214,772号明細書
  • 米国特許第6,190,752号明細書
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審査官引用 (2件)

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