特許
J-GLOBAL ID:200903042853735485

酸化物超電導体単結晶粒子の集合体およびターゲット材並びにその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-065224
公開番号(公開出願番号):特開2002-265221
出願日: 2001年03月08日
公開日(公表日): 2002年09月18日
要約:
【要約】【課題】 イオンビームアシスト法やスパッタ法等の薄膜製造方法の際に、原料飛散量の安定性を図ることのできる酸化物超電導体のターゲット材10、並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 作製目的とする酸化物超電導体20より高い融点を有する酸化物超電導体を含む基板を準備された基板30とし、作製目的とする酸化物超電導体原料融液の表面に接触させた後、引き上げることで、前記基板30の表面へ作製目的とする酸化物超電導体単結晶粒子1、2、3、4、...を形成することで、酸化物超電導体単結晶粒子の集合体であって、95%以上の相対密度を有し、粒径は0.5mm以上であり、各々の粒子は傾角が5°以下でc軸に配向している酸化物超電導体20を得た。この酸化物超電導体20を用いてターゲット材10を作製したところ、薄膜製造方法の際に、原料飛散量の安定化を図ることができた。
請求項(抜粋):
酸化物超電導体単結晶粒子の集合体であって、95%以上の相対密度を有し、前記酸化物超電導体単結晶粒子の粒径は0.5mm以上であり、前記酸化物超電導体単結晶粒子は相互のa軸またはb軸が、90°±5°または180°±5°の角度をなしており、相互のc軸の傾角は5°以下であるようにならんで配向し、ターゲット材として使用可能なサイズを有していることを特徴とする酸化物超電導体単結晶粒子の集合体。
IPC (8件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  C30B 15/36 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (8件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/24 E ,  C23C 14/34 A ,  C30B 15/36 ,  C30B 29/22 501 H ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B
Fターム (43件):
4G047JA01 ,  4G047JA03 ,  4G047JB02 ,  4G047JB03 ,  4G047JC02 ,  4G047KE05 ,  4G047KE07 ,  4G047KG01 ,  4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AA08 ,  4G077AB02 ,  4G077BC53 ,  4G077CF10 ,  4G077DA14 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EG02 ,  4G077HA08 ,  4G077PJ01 ,  4G077PJ04 ,  4K029BA50 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029DC08 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD39 ,  4M113BA04 ,  4M113BA09 ,  4M113BA21 ,  4M113CA34 ,  5G321AA01 ,  5G321CA04 ,  5G321CA27 ,  5G321DB28 ,  5G321DB30
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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