特許

J-GLOBAL ID：200903009127598722

半導体装置

発明者： 奥西 久義
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-216025
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042022
出願日： 2006年08月08日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】複数の異なる波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザとマウントチップとの良好な接合を達成することができる、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ1のマウントチップ200との対向面において、第1レーザ構造部3のエアリッジ部38のリッジ高さと、第2レーザ構造部4のエアリッジ部48のリッジ高さとが異なっている。そして、マウントチップ200の半導体レーザ1との対向面において、半導体レーザ1の第1レーザ構造部3のエアリッジ部38に対向する第1電極201の配置位置と、半導体レーザ1の第2レーザ構造部4のエアリッジ部48に対向する第2電極203の配置位置とは、それらのエアリッジ部38,48のリッジ高さの差に応じた段差を有している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体レーザと、この半導体レーザが接合されるマウントチップとを備える、半導体装置であって、 前記半導体レーザは、 前記マウントチップに向けて突出する第1エアリッジ部を有し、第1の波長のレーザ光を出射する第1レーザ構造部と、 前記マウントチップに向けて前記第1エアリッジ部よりも大きく突出する第2エアリッジ部を有し、前記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を出射する第2レーザ構造部とを含み、 前記マウントチップは、 前記半導体レーザとの対向面において、前記第1エアリッジ部と対向する位置に配置された第1電極と、 前記半導体レーザとの対向面において、前記第2エアリッジ部と対向する位置に配置された第2電極とを含み、 前記第1電極の配置位置と前記第2電極の配置位置とは、前記第1エアリッジ部のリッジ高さと前記第2エアリッジ部のリッジ高さとの差に応じた段差を有していることを特徴とする、半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/22

FI (2件)：

H01S5/022 ,  H01S5/22 610

Fターム (21件)：

5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AB76 ,  5F173AD06 ,  5F173AF95 ,  5F173AG05 ,  5F173AG11 ,  5F173AH02 ,  5F173AH08 ,  5F173AL07 ,  5F173AL14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP79 ,  5F173MA05 ,  5F173MC30 ,  5F173MD04 ,  5F173MD12 ,  5F173MD63 ,  5F173MD65 ,  5F173MD84

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-164619   出願人：シャープ株式会社