特許
J-GLOBAL ID：200903061881309747

半導体レーザ素子

発明者：
和田 一彦

和田 一彦 について

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宮嵜 啓介

宮嵜 啓介 について

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森本 泰司

森本 泰司 について

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辰巳 正毅

辰巳 正毅 について

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上田 禎亮

上田 禎亮 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347478
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】製造工程を簡単にできると共に、第1,第2レーザ出射部の発光点位置を高精度に設定できる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】p型GaAsキャップ層6の層厚にp型AlXGa1-XAs(X=0.550)第2クラッド層20の層厚を加えた層厚と、p型GaAsキャップ層12の層厚にp型AlGaInP第2上クラッド層23の層厚を加えた層厚との比が、p型GaAsキャップ層6及びp型AlXGa1-XAs(X=0.550)第2クラッド層20をドライエッチングする場合のエッチングレートと、p型GaAsキャップ層12及びp型AlGaInP第2上クラッド層23をドライエッチングする場合のエッチングレートとの比が同じである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板上に形成され、第1の波長のレーザ光を出射する第1レーザ出射部と、上記基板上に形成され、上記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を出射する第2レーザ出射部とを備え、 上記第1レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、 上記第2レーザ出射部は、第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層、エッチングストップ層、第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層を有し、 上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第1リッジストライプが構成されている共に、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層で第2リッジストライプが構成され、 上記第1レーザ出射部の第2導電型キャップ層の層厚に上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層の層厚を加えた層厚と、上記第2レーザ出射部の第2導電型キャップ層の層厚に上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層の層厚を加えた層厚との比が、上記第1レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートと、上記第2レーザ出射部の第2導電型第2上クラッド層及び第2導電型キャップ層をエッチングする場合のエッチングレートとの比に略同じであることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01S5/22 610 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343
Fターム (11件)：
5F173AA05 ,  5F173AD06 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH02 ,  5F173AH06 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AR07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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