特許

J-GLOBAL ID：200903009129956553

酸化珪素膜の製造装置および成膜方法

発明者： 松本 卓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120716
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311894
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 大面積高均一な酸化珪素膜を成膜することができる酸化珪素膜の製造装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】 基板1を真空吸着する基板保持手段と基板1を加熱する加熱手段とを有する酸化珪素膜の製造装置において、前記基板保持手段は、同心円上に形成された複数の吸着溝5、6、7を備え、前記吸着溝5、6、7の吸着真空度は、吸着溝5、6、7ごとにそれぞれ調節可能とされている酸化珪素膜の製造装置とする。

請求項（抜粋）：

基板を真空吸着する基板保持手段と基板を加熱する加熱手段とを有する酸化珪素膜の製造装置において、前記基板保持手段は、同心円上に形成された複数の吸着溝を備え、前記吸着溝の吸着真空度は、吸着溝ごとにそれぞれ調節可能とされていることを特徴とする酸化珪素膜の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B

Fターム (24件)：

5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DC62 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EM02 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF33 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-131691   出願人：株式会社日立製作所
• ウェハステージ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-201560   出願人：株式会社東芝