半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113493
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326318
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【構成】n- 高抵抗層1,pベース層2,n+ ソース層,pドレイン層11からなるIGBTにおいて、pベース層2より深く拡散されたp+ 拡散層13が形成されている。このp+ 拡散層13には雪崩降伏電流検出用電極14が形成され、この雪崩降伏電流検出用電極14は抵抗15を介して接地され、また双方向ツェナーダイオード16を介して各ゲート電極6と接続されている。ゲート電極6に負バイアスを供給するとソース電極3とドレイン電極12との電極間電圧が大きくなり、雪崩降伏が生じる程度に電極間電圧が高くなると、まずp+ 拡散層13で雪崩降伏を起す。これをツェナーダイオードなどで検出し、ゲートバイアスを上昇せしめ、キャリアを注入することで電界を緩和し、ターンオフ時の雪崩降伏現象を抑える。【効果】雪崩降伏現象による素子の破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の高抵抗半導体層と;前記高抵抗半導体層中に形成された第2導電型の第1の半導体層と;前記第1の半導体層中に形成された第1導電型の第2の半導体層と;前記第2の半導体層と高抵抗半導体層とで挟まれた第1の半導体層上に形成され、前記第2の半導体層から高抵抗半導体層へのキャリアの注入を制御する絶縁ゲート電極と;ターンオフ時に前記第1の半導体層から高抵抗半導体層への雪崩降伏電流を検出する雪崩降伏電流検出手段と;前記雪崩降伏電流検出手段により雪崩降伏電流が検出されたときに前記絶縁ゲート電極に所定の電位を供給し前記高抵抗半導体層へキャリアの注入を行わせしめる絶縁ゲート電極制御手段とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 23/52 , H01L 29/74

FI (2件)：

H01L 29/78 321 J , H01L 23/52 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-332172
特開平4-000767
特開平1-215067

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