特許
J-GLOBAL ID：200903009140495355
炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304901
公開番号（公開出願番号）：特開平7-157307
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明の製造方法により得られた高純度β型炭化ケイ素粉末を用いることにより、単結晶の不純物混入による特性の低下を大幅に改善し、高純度で、結晶欠陥の少なく、さらに、歩止りのよい炭化ケイ素単結晶を提供し得る。【構成】 不純物元素を実質的に含まない液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する不純物元素を実質的に含まない液状の有機化合物と不純物元素を実質的に含まない重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下、1600〜2200°Cで焼成することにより、平均粒径が10μm〜500μmであり、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下のβ型炭化ケイ素粉末を得ることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法。
請求項（抜粋）：
不純物元素を実質的に含まない液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する不純物元素を実質的に含まない液状の有機化合物と不純物元素を実質的に含まない重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下、1600〜2000°Cで焼成することにより、平均粒径が10μm〜500μmであり、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下のβ型炭化ケイ素粉末を得ることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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