特許
J-GLOBAL ID:200903009145593827

超臨界溶媒を用いた結晶製造方法および結晶製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-059768
公開番号(公開出願番号):特開2007-238346
出願日: 2006年03月06日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
【課題】固体状の鉱化剤の溶媒に対する溶解速度を制御し、溶媒中の鉱化剤の溶解度をコントロールすることで、結晶の成長速度を好適に維持し、鉱化剤や種結晶等の寿命を延ばすことができる結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。【解決手段】反応容器中で、(1)超臨界状態および/または亜臨界状態の溶媒、並びに、(2)固体状の鉱化剤を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記鉱化剤の前記溶媒との全接触面積の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の2〜80%であることを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
反応容器中で、(1)超臨界状態および/または亜臨界状態の溶媒、並びに、(2)固体状の鉱化剤を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、 前記鉱化剤の前記溶媒との全接触面積の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の2〜80%であることを特徴とする結晶製造方法。
IPC (2件):
C30B 29/38 ,  C30B 7/10
FI (2件):
C30B29/38 D ,  C30B7/10
Fターム (8件):
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CB03 ,  4G077EA02 ,  4G077HA02 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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