特許
J-GLOBAL ID：200903009146817214

有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法

発明者：
八瀬 清志

八瀬 清志 について

, 
星野 聰

星野 聰 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092708
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298056
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 ソース電極からの有機活性層への電子の供給、及び有機活性層からドレイン電極への電子の排出効率を改善し、トランジスターの動作特性を向上させることのできる有機薄膜電界効果トランジスターを提供すること。【解決手段】 少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極とソース、ドレイン及びゲート絶縁層間に形成される有機化合物の薄膜からなる有機薄膜電界効果トランジスターにおいて、前記ソース及びドレイン電極をアルカリ金属弗化物の極薄膜とアルミニウムの積層構造としたので、ソース電極からの有機活性層への電子の供給、及び有機活性層からドレイン電極への電子の排出効率を改善し、トランジスターの動作特性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極とソース、ドレイン及びゲート絶縁層間に形成される有機化合物の薄膜からなる有機薄膜電界効果トランジスターにおいて、前記ソース及びドレイン電極をアルカリ金属弗化物の極薄膜とアルミニウムの積層構造としたことを特徴とする有機薄膜電界効果トランジスター。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (4件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/28
Fターム (15件)：
5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-333152   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
  • 有機発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199087   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 有機発光素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-093872   出願人：富士写真フイルム株式会社

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