特許
J-GLOBAL ID：200903040088852823

半導体デバイス

発明者：
ゼナン バオ

ゼナン バオ について


出願人/特許権者：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド

ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333152
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251601
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 高い電界効果移動度を示す置換フタロシアニン配位化合物による半導体デバイスを実現する。【解決手段】 半導体デバイス20は、活性層21が置換フタロシアニン配位化合物からなる有機半導体材料であるような半導体TFTデバイスである。その電界効果移動度は10-3cm2/Vsより大きく、伝導度は約10-9S/cm〜約10-7S/cmの範囲にある。配位化合物の少なくとも1つの6員環は、少なくとも1つの塩素またはフッ素置換基を有する。6員環はフッ素または塩素原子で完全に置換されると有効である。配位子は銅、亜鉛、または鉄である。一実施例では、デバイス20は、有機半導体の活性層21を有するMIS-FET型TFTである。製造プロセスでは、フタロシアニン配位化合物の層は、加熱された基板上に形成される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された置換フタロシアニン配位化合物層と、前記置換フタロシアニン配位化合物層に電流を流すための接点とからなる半導体デバイスにおいて、前記置換フタロシアニン配位化合物は次の構造を有し、【化4】Xは銅、鉄、および亜鉛からなる群から選択され、Rは電子吸引基であり、少なくとも1つの6員環が少なくとも1つのR置換基を有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00 ,  C07D487/22
FI (5件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 33/00 A ,  C07D487/22 ,  H01L 29/28 ,  H01L 31/04 D
引用特許：
審査官引用 (7件)
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