特許
J-GLOBAL ID:200903009150322343

半導体素子の接続方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大垣 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-264778
公開番号(公開出願番号):特開平10-112473
出願日: 1996年10月04日
公開日(公表日): 1998年04月28日
要約:
【要約】【課題】 異方性導電接着剤層を用いて凸状のバンプと支持体電極との間の良好な接続が可能な半導体素子の接続方法を提供する。【解決手段】 導電性材料26を結合剤24が熱硬化又は熱可塑化する温度で溶融する金属導電性材料で形成し、当該金属導電性材料を含む異方性導電接着剤層28を加圧及び加熱することによって金属導電性材料を溶融させて、凸状のバンプ14と支持電極20との間に導電層30を形成する。
請求項(抜粋):
半導体素子に設けられた複数の凸状のバンプと、該半導体素子と電気的に接続されるべき支持体に設けられた複数の支持体電極との間に、結合剤及び導電性材料から成る異方性導電接着剤層を設けて前記バンプと前記支持体電極とを接続する半導体素子の接続方法において、(a)前記導電性材料を前記結合剤が熱硬化又は熱可塑化する温度で溶融する金属導電性材料で形成し、(b)該金属導電性材料を含む前記異方性導電接着剤層を加圧及び加熱することによって前記金属導電性材料を溶融させて、前記バンプと前記支持体電極との間に導電層を形成することを特徴とする半導体素子の接続方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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