半導体装置の製法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222495
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064906
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】ウインド構造の劈開端面のレーザを精度良く製作すること。【構成】端面を劈開面としている半導体層を有する半導体装置の製法において、半導体層をエッチングにより溝を形成し、ついでこの溝に沿って劈開を行う半導体装置の製法。

請求項（抜粋）：

端面を劈開面としている半導体層を有する半導体装置の製法において、半導体層をエッチングすることにより劈開予定域に溝を形成する工程と、該エッチング溝に沿って劈開を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

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