特許
J-GLOBAL ID：200903009237266091

電力変換素子モジュール

発明者：
上谷 賢司

上谷 賢司 について

, 
小谷 和也

小谷 和也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247899
公開番号（公開出願番号）：特開平10-094256
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子スイッチング時のサージ電圧を低減する。【解決手段】 素子冷却器21の冷却ブロック21aの両面にそれぞれ正極側と負極側とに区分して並設した複数の正極側半導体スイッチング素子1a,...および複数の負極側半導体スイッチング素子1bと、冷却ブロックの各面に並設された複数の正極側半導体スイッチング素子の一端部、複数の負極側半導体スイッチング素子の一端部をそれぞれ並列接続し、かつ、冷却ブロックを挟んで対称位置ではスイッチング時の電流変化による磁束変化を互いに打ち消す方向に電流が流れるように配置された直流正極側導体22a,22bおよび直流負極側導体23a,23bと、各対ごとの正極側半導体スイッチング素子および負極側半導体スイッチング素子の他端部を交流電圧側に接続する交流導体25a〜25cとを設けた電力変換素子モジュールである。
請求項（抜粋）：
半導体スイッチング素子を用いた電力変換装置において、素子冷却器に設けられた冷却ブロックの両面にそれぞれ複数の正極側半導体スイッチング素子および複数の負極側半導体スイッチング素子を取り付け、前記冷却ブロックを挟んで対称位置にある前記冷却ブロック各面の正極側半導体スイッチング素子どうし、負極側半導体スイッチング素子どうしを連結する直流正極側導体および直流負極側導体を、前記半導体スイッチング素子のスイッチング時の電流変化による磁束変化を互いに打ち消す方向に電流が流れるように配置したことを特徴とする電力変換素子モジュール。
IPC (5件)：
H02M 7/04 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/48
FI (4件)：
H02M 7/04 D ,  H02M 1/00 R ,  H02M 7/48 Z ,  H01L 25/04 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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