特許
J-GLOBAL ID:200903009258165724
薄膜圧電体素子およびそれを用いたインクジェット記録ヘッド
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 一雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-169750
公開番号(公開出願番号):特開平8-078748
出願日: 1995年07月05日
公開日(公表日): 1996年03月22日
要約:
【要約】【課題】 良好な特性の薄膜圧電体素子およびその製造法の提供。【解決手段】 多結晶体よりなる圧電体膜と、該圧電体膜を挟む二つの電極とを含んでなる、薄膜圧電体素子であって、前記圧電体膜の多結晶体の結晶粒径が0.4μm以上であり、かつ前記圧電体膜の膜厚以下であるものである。また、その製造法は、電極上に圧電体の前駆体膜を形成する工程と、前駆体膜が形成された前記電極を、酸素を含む雰囲気中で500〜700°Cの温度で加熱し、前記前駆体膜を結晶化して多結晶体よりなる圧電体膜とする第1加熱工程と、そして圧電体膜が形成された前記電極を、酸素を含む雰囲気中で750〜1200°Cの温度で加熱し、前記圧電体膜の表面から観察される多結晶体の結晶粒径を0.4μm以上とする第2加熱工程とを含んでなる。
請求項(抜粋):
多結晶体よりなる圧電体膜と、該圧電体膜を挟む二つの電極とを含んでなる、薄膜圧電体素子であって、前記圧電体膜の多結晶体の結晶粒径が0.4μm以上であり、かつ前記圧電体膜の膜厚以下である、薄膜圧電体素子。
IPC (8件):
H01L 41/09
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, C01G 25/00
, C04B 35/49
, C23C 14/08
, C23C 14/58
, H01L 41/22
FI (4件):
H01L 41/08 C
, B41J 3/04 103 A
, C04B 35/49 B
, H01L 41/22 Z
引用特許:
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