特許

J-GLOBAL ID：200903009259236790

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 下垣内 康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-348096
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172181
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 エネルギービームの走査方向を最適化して薄膜トランジスタの電気特性を改善する。【解決手段】 薄膜半導体装置の製造方法では絶縁基板1上に半導体薄膜4を成膜する成膜工程を行なう。又、照射工程を行ない線状の照射エリアを有するエネルギービーム5を照射エリアと直交する走査方向に沿って相対的に移動しながら絶縁基板1に照射して半導体薄膜4を結晶化する。この結晶化された半導体薄膜4をチャネル領域Chとしこれに交差するゲート電極2を備えた薄膜トランジスタ8を集積形成する。この際、照射工程ではチャネル領域Chと平行でゲート電極2に直交する走査方向にエネルギービーム5を移動している。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に半導体薄膜を成膜する成膜工程と、線状の照射エリアを有するエネルギービームを該照射エリアと直交する走査方向に沿って相対的に移動しながら該絶縁基板に照射して該半導体薄膜を結晶化する照射工程とを含み、該半導体薄膜をチャネル領域としこれに交差するゲート電極を備えた薄膜トランジスタを集積形成した薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は、該チャネル領域と平行で該ゲート電極に直交する走査方向にエネルギービームを移動する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体装置の製造方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-074925   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭58-192381
  
• ドライブ回路TFTの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-342109   出願人：カシオ計算機株式会社