特許
J-GLOBAL ID:200903009272576400

光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-220012
公開番号(公開出願番号):特開2009-054794
出願日: 2007年08月27日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
【課題】暗電流を抑えてSN比を向上させることのできる光電変換素子を提供する。【解決手段】下部電極101と、上部電極104と、これらの間に配置された有機光電変換層102とを含む光電変換素子であって、上部電極104を有機光電変換層102で発生した電子を捕集するための電極とし、下部電極を有機光電変換層102で発生した正孔を捕集するための電極とし、上部電極104と有機光電変換層102との間に、上部電極104と下部電極101間にバイアス電圧を印加した状態で上部電極104から有機光電変換層102に正孔が注入されるのを抑制する酸化珪素からなる正孔ブロッキング層103を備え、この酸化珪素の珪素に対する酸素の組成比が0.5以上1.2以下である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された有機光電変換層とを含む光電変換素子であって、 前記一対の電極の一方を、前記有機光電変換層で発生した電子を捕集するための電極とし、 前記一対の電極の他方を、前記有機光電変換層で発生した正孔を捕集するための電極とし、 前記電子を捕集するための電極と前記有機光電変換層との間に、前記一対の電極間にバイアス電圧を印加した状態で前記電子を捕集するための電極から前記有機光電変換層に正孔が注入されるのを抑制する酸化珪素からなる正孔ブロッキング層を備え、 前記酸化珪素の珪素に対する酸素の組成比が0.5以上1.2以下である光電変換素子。
IPC (2件):
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件):
H01L31/10 A ,  H01L27/14 E
Fターム (29件):
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA15 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049MB08 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049QA20 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 画像読み取り素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-290159   出願人:三菱化成株式会社
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る