特許
J-GLOBAL ID：200903077635494296

光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法

発明者：
前原 佳紀

前原 佳紀 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054685
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245045
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 光学的に透明であって、製造時有機半導体を劣化させず加熱・プラズマ・溶媒等から有機半導体を保護し、また製造後に水分やガス等を遮断して有機半導体の劣化を防止するという、有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子の保護層に必要な条件を満足する材料とその製造方法を提供すること。【解決手段】 有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子の、透明対向電極上に無機材料から成る保護層を成膜すること。成膜材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等。これらのうち2種を交互に積層した構造としても良い。保護層の成膜法としては、真空中で成膜する乾式薄膜作製法、特にICPCVD法、ECRCVD法等のプラズマCVDが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子であって、透明対向電極より上に無機材料から成る保護層を成膜したことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L27/14 E ,  H01L31/10 A
Fターム (22件)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA15 ,  4M118CA27 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118CB05 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA20 ,  5F049PA01 ,  5F049SE02 ,  5F049SZ12 ,  5F049UA20 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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