特許
J-GLOBAL ID：200903009279134128
結晶層厚・組成決定方法及び装置、結晶層厚・組成算出装置、結晶層製造方法及び装置並びに記憶媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-218487
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】基板上にエピタキシャル成長された3元化合物半導体結晶層の厚み及び組成を精度良く決定し、精度のよい厚み及び組成を有する結晶層を製造する。【解決手段】試料の分光透過率を測定し、試料をエッチングしその分光透過率を測定し、各分光透過率について、干渉フリンジ周期c及びカットオフ波数を求め、この波数から組成x0の初期値を求める。次に、t=1/{(2(β0-γ0・x0)c}より結晶層厚tを求め、組成勾配δxを求め、tからカットオフ波数を更新し、組成x0を更新するという処理を、x及びtが収束するまで繰り返す。収束後、x0をx=(1-κ・δx)x0+ξ・δxで補正して組成xを得る。結晶製造では、基板上に結晶層をエピタキシャル成長させ、前記方法を試料面上複数点で実施し、前記方法において、得られた組成勾配δxに基づき組成xが目標値になるようにエッチングし、最後にポリッシングする。
請求項（抜粋）：
実質的な3元化合物半導体Ax B1-x C(組成x)の結晶層が基板上にエピタキシャル成長された試料の分光透過率又は該結晶層の分光反射率である分光透過/反射率を測定して該結晶層での光路差に基づく干渉フリンジの周期cを求め、干渉フリンジ周期c、組成x及び式t=1/{(2(β-γ・x)c}に基づいて該結晶層の厚さtを求め、ここにβ及びγは定数であることを特徴とする結晶層厚決定方法。
IPC (3件)：
G01N 21/25
, G01B 11/06
, G01N 21/47
G01N 21/25
, G01B 11/06 G
, G01N 21/47 A
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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