特許
J-GLOBAL ID：200903009289860161
イオンビーム照射装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-166919
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014323
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】電子供給源から基板近傍への電子供給量を簡単にかつ短時間で測定することができるようにする。【解決手段】このイオンビーム照射装置は、ホルダ6に保持された基板4に電子を供給してイオンビーム照射に伴う基板4のチャージアップを抑制する電子供給源の一例として、プラズマ発生装置14を備えている。更に、ホルダ6の近傍であってプラズマ発生装置14から放出されたプラズマ16中の電子が到達する位置に設けられた測定電極20と、測定電極20に正のバイアス電圧VBを印加する直流のバイアス電源24と、測定電極20に流れる電流を計測する電流計26とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ホルダに保持された基板にイオンビームを照射する装置であって、当該ホルダの上流側に設けられていて基板に電子を供給してイオンビーム照射に伴う基板表面のチャージアップを抑制する電子供給源を備えるイオンビーム照射装置において、前記ホルダの近傍であって前記電子供給源からの電子が到達する位置に他から電気的に絶縁して設けられた測定電極と、この測定電極に少なくとも正のバイアス電圧を印加することのできる直流のバイアス電源と、前記測定電極に流れる電流を計測する電流計とを備えることを特徴とするイオンビーム照射装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01J37/317 C
, H01J37/317 Z
5C034CC07
, 5C034CC13
, 5C034CD06
