特許

J-GLOBAL ID：200903075558116566

イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置

発明者： 酒井 滋樹 ,  池尻 忠司
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346725
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150991
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 イオンビーム照射の際の基板表面の帯電をより小さく抑制する。【解決手段】 基板2にイオンビーム14を照射してイオン注入等の処理を施す際に、プラズマ発生装置20から放出させたプラズマ30を基板2の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制する。そのとき、基板2に照射されるイオンビーム14のビーム電流をIB 、プラズマ発生装置20から放出されるプラズマ30中のイオンの量を表すイオン電流をII 、同プラズマ30中の電子の量を表す電子電流をIE としたとき、IE /IB で表される比率を1.8以上に保ち、かつII /IE で表される比率を0.07以上0.7以下に保つ。

請求項（抜粋）：

基板にイオンビームを照射して処理を施す際に、プラズマ発生装置から放出させたプラズマを基板の近傍に供給して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を抑制するイオンビーム照射方法において、前記基板に照射されるイオンビームのビーム電流をIB 、前記プラズマ発生装置から放出されるプラズマ中のイオンの量を表すイオン電流をII 、同プラズマ中の電子の量を表す電子電流をIE としたとき、IE /IB で表される比率を1.8以上に保ち、かつII /IE で表される比率を0.07以上0.7以下に保つことを特徴とするイオンビーム照射方法。

IPC (5件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/04 ,  H01J 37/20 ,  H01L 21/265

FI (6件)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 37/317 C ,  C23C 14/48 C ,  H01J 37/04 A ,  H01J 37/20 H ,  H01L 21/265 N

Fターム (12件)：

4K029AA06 ,  4K029CA03 ,  4K029CA10 ,  4K029DE01 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09 ,  5C001BB07 ,  5C001CC07 ,  5C030AA01 ,  5C030AA04 ,  5C034CC13 ,  5C034CD07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• イオン照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-238536   出願人：日新電機株式会社
• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-213820   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-123755
  
• 特開平3-093141