特許
J-GLOBAL ID：200903009293807291

光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置

発明者：
中筋 郁雄

中筋 郁雄 について

, 
山中 浩史

山中 浩史 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-020685
公開番号（公開出願番号）：特開2001-207019
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年07月31日
要約：
【要約】【課題】 成形品が光透過性を維持すると共に、熱時剛性が良好で、低応力性を有する光半導体用エポキシ樹脂組成物、及び、びこの組成物を用いた光半導体装置を提供する。【解決手段】 光半導体用エポキシ樹脂組成物は、下記(A)、(B)、(C)、(D)、(E)成分を配合してなる組成物で、光半導体素子を封止するものである。(A)成分はエポキシ樹脂、(B)成分は硬化剤、(C)成分は硬化促進剤、(D)成分は離型剤、及び、(E)成分は屈折率が1.45〜1.60のシリコーン化合物である。光半導体装置は、上記組成物を用いて光半導体素子を封止してなる。
請求項（抜粋）：
下記(A)、(B)、(C)、(D)、(E)成分を配合してなる組成物で、光半導体素子を封止する光半導体用エポキシ樹脂組成物。(A)成分;エポキシ樹脂、(B)成分:硬化剤、(C)成分:硬化促進剤、(D)成分:離型剤、(E)成分:屈折率が1.45〜1.60のシリコーン化合物。
IPC (8件)：
C08L 63/00 ,  C08G 59/42 ,  C08K 5/20 ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/07 ,  C08L 83/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (8件)：
C08L 63/00 A ,  C08L 63/00 C ,  C08G 59/42 ,  C08K 5/20 ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/07 ,  C08L 83/12 ,  H01L 23/30 F
Fターム (57件)：
4J002CC052 ,  4J002CD011 ,  4J002CD021 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD111 ,  4J002CD141 ,  4J002CN022 ,  4J002EL136 ,  4J002EN077 ,  4J002EN107 ,  4J002EP018 ,  4J002EP028 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EW017 ,  4J002EW177 ,  4J002EX039 ,  4J002EX069 ,  4J002FD142 ,  4J002FD146 ,  4J002FD157 ,  4J002FD168 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AD08 ,  4J036AD20 ,  4J036AF06 ,  4J036DA01 ,  4J036DA02 ,  4J036DB17 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD02 ,  4J036DD07 ,  4J036FA12 ,  4J036FB07 ,  4J036FB12 ,  4J036FB16 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB13 ,  4M109EB18 ,  4M109EB19 ,  4M109EC04 ,  4M109EC07 ,  4M109EC09 ,  4M109EC11 ,  4M109EC20 ,  4M109GA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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