回路内蔵受光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275861
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】分割フォトダイオードを有する回路内蔵受光素子の光感度を向上させる。【構成】 N型エピタキシャル層4に埋め込まれたP型埋込み拡散層14bと表面から拡散されたP型拡散層7bとによりアノードを形成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板の表面に形成された受光素子と信号処理回路とよりなり、受光素子は、第1の導電型の半導体基板の表面のエピタキシャル層を含む第1の導電型の半導体層と、その表面から第1の導電型の半導体基板に達する複数の第2の導電型の半導体層によって形成され、それぞれの第2の導電型の半導体層は、前記の第1の導電型の半導体層に埋め込まれた半導体層と、前記の第1の導電型の半導体層の表面から拡散された半導体層とよりなることを特徴とする回路内蔵受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-023668
特開昭61-262530
特開平2-132857

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