特許
J-GLOBAL ID：200903009308502174
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213200
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064453
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ高出力化のための劈開面保護膜の形成方法を提供する。【構成】 同一真空容器において、半導体レーザの劈開面203にプラズマ205を照射することにより劈開面203に付着した水分と自然酸化膜を除去し、劈開面203を窒化し、その後劈開面保護膜208を形成する。【効果】 劈開面203の水分と自然酸化膜を除去することによりCODレベルが向上し、半導体レーザが高出力化される。また、劈開面保護膜208の劈開面203への密着力が向上し、半導体レーザの信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザを真空容器内に入れる工程と、前記半導体レーザの劈開面にプラズマを照射する工程と、前記劈開面に劈開面保護膜を形成する工程とを有する半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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