特許
J-GLOBAL ID：200903009319781970
ニオブコンデンサの製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373834
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】LC特性が良好で、DCバイアス印加による容量の低下が少ないコンデンサ、およびその製造方法を提供する。【解決の手段】ニオブコンデンサの製造方法において、そのいずれかの工程で誘電体酸化皮膜を100°C〜1400°Cの範囲の温度に曝しニオブコンデンサを製造する。
請求項（抜粋）：
ニオブ焼結体の表面に酸化皮膜、この酸化皮膜上に半導体層、この半導体層上に導電体層を形成し、外装して封止するニオブコンデンサの製造方法において、ニオブ焼結体の表面に酸化皮膜が形成され、半導体層が形成されていない焼結体を100°C〜1400°Cの範囲の温度に曝すことを特徴とするニオブコンデンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 9/04 307
, H01G 9/00
, H01G 9/052
H01G 9/04 307
, H01G 9/24 C
, H01G 9/05 K
