埋設された結晶を有する波長変換層

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 宍戸嘉一 , 弟子丸健 , 井野砂里
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-548931
公開番号（公開出願番号）：特表2008-527688
出願日： 2005年12月19日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

本発明は、埋設された希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子を有するマトリクス層を備えた波長変換層である。希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子は、ランタノイドの少なくとも1つでドープされている。希土類イオンドープの微結晶及び/又はドープされたアモルファス粒子は、10nmから500μmの平均直径d50をを有し、マトリクス層は透明であり、希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子の屈折率は、400nmから1200nmの範囲の少なくとも1つの波長に対して、0≦Δn≦0.1で、マトリクス層の屈折率と整合する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

埋設された希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子を有するマトリクス層を備えた波長変換層であって、前記希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子は、少なくともランタノイド元素の1つがドープされ、前記希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子は、10nmから500μmの平均直径d50を有し、前記マトリクス層は、透明であり、前記希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子の屈折率は、400nmから1200nmの範囲における少なくとも1つの波長に対して、屈折率の差Δnが0以上且つ0.1以下で、前記マトリクス層の屈折率と整合する、波長変換層。

IPC (6件)：

H01L 31/14 , H01L 33/00 , C09K 11/80 , C09K 11/85 , C09K 11/61 , C09K 11/66

FI (6件)：

H01L31/14 A , H01L33/00 N , C09K11/80 , C09K11/85 , C09K11/61 , C09K11/66

Fターム (27件)：

4H001XA03 , 4H001XA08 , 4H001XA09 , 4H001XA13 , 4H001XA17 , 4H001XA19 , 4H001XA35 , 4H001XA38 , 4H001XA39 , 4H001XA56 , 4H001XA57 , 4H001XA71 , 4H001XA82 , 4H001YA58 , 4H001YA59 , 4H001YA60 , 4H001YA62 , 4H001YA63 , 4H001YA65 , 4H001YA66 , 4H001YA67 , 4H001YA68 , 4H001YA69 , 4H001YA70 , 5F041AA11 , 5F041CA40 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公昭49-007397
レーザ発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-252231 出願人：ファナック株式会社
波長上方変換透明化ガラスセラミックスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-212572 出願人：株式会社住田光学ガラス, 日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (7件)

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