特許
J-GLOBAL ID：200903009338604052
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197996
公開番号（公開出願番号）：特開平8-170163
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【課題】 被加工物の任意の面あるいは場所に任意のパターン形状の成膜をおこなう。【解決手段】 低エネルギーの成膜用ガス粒子ビームを発生するビーム源から放射されたビーム21を被加工物25の表面に照射して成膜するに、該ビーム源と被加工物とを相対移動せしめて、被加工物25の任意の面または位置に任意の成膜パターン27を形成する。
請求項（抜粋）：
低エネルギーの成膜用ガス粒子ビームを発生するビーム源から放射されたビームを被加工物の表面に照射して成膜するに、該ビーム源と被加工物とを相対移動せしめて、被加工物の任意の面または位置に任意の成膜パターンを形成することを特徴とする成膜方法。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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