特許
J-GLOBAL ID：200903009358927656
順スタガ型薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274422
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116164
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 低リーク電流で、なおかつ電気的特性のバラツキが少ない構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板101上にソース・ドレイン層102を島状に形成する。このとき、基板をもエッチングする。ソースドレイン層を覆うようにアモルファスシリコン膜及び透光膜を形成してレーザー光を照射し、アモルファスシリコン膜を結晶化し、ポリシリコン膜からなる活性層103とする。このポリシリコン膜は1層の領域と2層の領域とを有する。その後、透光膜を除去してゲート絶縁膜104、ゲート電極105、及び金属配線を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に島状に形成された2つのソース・ドレイン層と、該2つのソース・ドレイン層を覆うように前記絶縁性基板上に形成された活性層とを有する順スタガ型薄膜トランジスタにおいて、前記活性層の前記2つのソース・ドレイン層の互いに対向する側面に接する領域を1層のポリシリコン層とし、前記活性層の他の領域を2層のポリシリコン層としたことを特徴とする順スタガ型薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 21/336
H01L 29/78 626 C
, H01L 21/20
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 G
