半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332241
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164591
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】単結晶Si基板の表面近傍に原子層で平坦かつ不純物を含まない界面を有する酸化膜を形成することで超高速動作のトランジスタ提供する。【解決手段】非晶質Si層の堆積、イオン打ち込みによる界面の非晶質化、低温加熱による低損傷領域の回復および熱酸化等を併用した手法により原子層で急峻かつ清浄な界面を有する酸化膜と単結晶Siのヘテロ構造の形成が可能となり、超高速動作のトランジスタの実現が可能となる。

請求項（抜粋）：

単結晶Si基板と、その基板表面近傍に形成された酸化膜を有し、かつその酸化膜と単結晶Si層との界面が原子層レベルで平坦かつ不純物を含まない層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (16件)：

5F040DA05 , 5F040DA21 , 5F040DA22 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040ED00 , 5F040EE06 , 5F040FC15 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BC02 , 5F058BE01 , 5F058BE10 , 5F058BF55 , 5F058BF63 , 5F058BJ01

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