薄膜トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033151
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223365
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極や配線の材料に低抵抗金属を用いた場合であっても高い信頼性を確保しうる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板10上に形成されたゲート電極18と、ゲート絶縁膜20と、半導体層22と、ソース/ドレイン電極36a、36bとを有する薄膜トランジスタであって、ゲート電極又はソース/ドレイン電極は、第1の導電膜12と、第2の導電膜14と、第3の導電膜16とを有し、第1の導電膜は、Al、Cu及びAgより選択された金属又はこの金属を主成分とする合金より成り、側面が傾斜しており、第2の導電膜は、Mo又はMoを主成分とする合金に窒素を含ませた膜より成り、側面が傾斜しており、第3の導電膜は、Mo又はMoを主成分とする合金より成る。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース/ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極又はソース/ドレイン電極は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に形成された第2の導電膜と、前記第2の導電膜上に形成された第3の導電膜とを有し、前記第1の導電膜は、Al、Cu及びAgより選択された金属又はこの金属を主成分とする合金より成り、側面が傾斜しており、前記第2の導電膜は、Mo又はMoを主成分とする合金に窒素を含ませた膜より成り、側面が傾斜しており、前記第3の導電膜は、Mo又はMoを主成分とする合金より成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301

FI (5件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 617 K

Fターム (58件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB31 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD12 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH13 , 5F110AA03 , 5F110AA12 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE12 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK24 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (4件)

ドライエッチング方法およびその方法を用いたTFTの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068465 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-024924
薄膜トランジスタおよびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142247 出願人：三菱電機株式会社

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