ドライエッチング方法およびその方法を用いたTFTの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068465
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297668
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 1つのエッチング装置内で連続的に金属層とその下地層であるアモルファスシリコン層をドライエッチングする。【解決手段】アモルファスシリコン層とその上に設けられた金属層を1つのドライエッチング装置内でエッチングする方法であって、金属層をアモルファスシリコン層に対して選択的にエッチングするステップと、アモルファスシリコン層をエッチングするステップとを含む方法が提供される。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン層とその上に設けられた金属層を1つのドライエッチング装置内でエッチングする方法であって、金属層をアモルファスシリコン層に対して選択的にエッチングするステップと、アモルファスシリコン層をエッチングするステップと、を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 627 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-274431
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213349 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-096223

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