特許
J-GLOBAL ID：200903009404151749
セラミックス材料と回路基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116333
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 絶縁層の実効比誘電率が2以下で、-40°C〜150 °Cの温度範囲での熱膨張係数が13〜17 ppm/°Cである、低温焼成セラミックス回路基板。【解決手段】 ホウケイ酸ガラスを熱処理で分相化し、可溶性相を溶出させ、粉砕した後、表面のみを火炎で溶融させて閉気孔化することにより、nmオーダーの閉気孔を持つ多孔質ガラスを調製する。この多孔質ガラス、および/またはこのガラスを結晶化熱処理して得た多孔質骨材を使用して、ガラス/骨材/樹脂球の混合物を調製し、これからグリーンシート積層法でセラミックス回路基板を作製する。絶縁層は、上記の閉気孔に加えて、焼成中の樹脂球の消失によるμmオーダーの閉気孔を持ち、閉気孔率が非常に高くなる。
請求項（抜粋）：
実効比誘電率が2未満であることを特徴とするセラミックス材料。
IPC (6件)：
C04B 35/495
, C04B 38/06
, C04B 38/08
, H01L 23/15
, H05K 1/03 610
, H05K 3/46
C04B 35/00 J
, C04B 38/06 B
, C04B 38/08 D
, H05K 1/03 610 D
, H05K 3/46
, H01L 23/14 C
