特許
J-GLOBAL ID：200903009422440081
シリコンウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000553
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203890
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可能にする。【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程10と、ウェーハを面取りする面取り工程11と、ウェーハを平面化するラッピング工程12と、ウェーハ表面の加工歪みを除去するエッチング工程13と、ウェーハの片面を鏡面研磨する表面研磨工程16と、ウェーハを洗浄する洗浄工程17とを含むウェーハの製造方法の改良である。この特徴ある構成は、エッチング工程がウェーハを酸エッチングする第1エッチング工程13aと第1エッチング工程の後にウェーハをアルカリエッチングする第2エッチング工程13bとを含み、エッチング工程と、表面鏡面研磨工程との間にエッチング工程で形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程14を含む。
請求項（抜粋）：
単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程(10)と、前記スライス工程(10)によって得られたウェーハを面取りする面取り工程(11)と、前記面取りされたウェーハを平面化するラッピング工程(12)と、前記面取り工程(11)及びラッピング工程(12)により導入されたウェーハ表面の加工歪みを除去するエッチング工程(13)と、前記エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面研磨工程(16)と、前記表面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程(17)とを含むシリコンウェーハの製造方法において、前記エッチング工程(13)が前記ウェーハを酸エッチングする第1エッチング工程(13a)とこの第1エッチング工程(13a)の後に前記ウェーハをアルカリエッチングする第2エッチング工程(13b)とを含み、前記エッチング工程(13)と、前記表面鏡面研磨工程(16)との間に前記エッチング工程(13)で形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程(14)を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 621
, H01L 21/304
, B24B 37/04
H01L 21/304 621 A
, H01L 21/304 621 E
, B24B 37/04 Z
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB03
