特許

J-GLOBAL ID：200903009429748685

電界効果型トランジスタ

発明者： 塚本 遵 ,  真多 淳二
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-109480
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294667
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】微細な有機電界効果型トランジスタを提供する。 【解決手段】絶縁層上にドレイン電極とソース電極を配置し、絶縁層下にゲート電極を配置し、絶縁層上に配置されたドレイン電極とソース電極の間に半導体活性層を有する電界効果型トランジスタであって、ドレイン電極および/またはソース電極が1本あるいは複数本のカーボンナノチューブからなり、かつ半導体活性層が有機半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

絶縁層上にドレイン電極とソース電極を配置し、絶縁層下にゲート電極を配置し、絶縁層上に配置されたドレイン電極とソース電極の間に半導体活性層を有する電界効果型トランジスタであって、ドレイン電極および/またはソース電極が1本のカーボンナノチューブからなり、かつ半導体活性層が有機半導体であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28

Fターム (21件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所
• 非線形電気伝導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-152888   出願人：株式会社リコー, 吉野勝美
• 導電性有機化合物及び電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-317096   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-259563号公報(特許請求の範囲)